Samsung: AI साठी सॅमसंगची 'CUBE' स्ट्रॅटेजी, 3D मेमरीने बदलणार गेम!
सार
सॅमसंगने सेमीकॉन तैवानमध्ये आपली 'CUBE' मेमरी स्ट्रॅटेजी जाहीर केली आहे. AI साठी क्षमता, बँडविड्थ आणि कार्यक्षमता वाढवण्यासाठी 3D रचनेवर भर दिला जाणार आहे. यात HBM5 आणि zHBM सारख्या भविष्यातील उत्पादनांचा समावेश आहे.
सॅमसंग इलेक्ट्रॉनिक्सने तैवानमध्ये झालेल्या 'सेमीकॉन तैवान' कार्यक्रमात आपली नेक्स्ट-जनरेशन मेमरी स्ट्रॅटेजी सादर केली आहे. 'द कोरिया हेराल्ड'च्या वृत्तानुसार, आर्टिफिशियल इंटेलिजन्स (AI) चा वापर वाढत असताना, त्यासाठी लागणाऱ्या मेमरीची क्षमता, वेग आणि ऊर्जा कार्यक्षमता वाढवण्यासाठी 3D आर्किटेक्चरवर कंपनीचा भर आहे.
सॅमसंगची 'CUBE' स्ट्रॅटेजी
सॅमसंग इलेक्ट्रॉनिक्सच्या मेमरी प्रॉडक्ट प्लॅनिंग टीमचे प्रमुख चोई जांग-सोक यांनी तैपेईमधील 'मेमरी एक्झिक्युटिव्ह समिट'मध्ये एका भाषणादरम्यान हा रोडमॅप सादर केला. कंपनीने या स्ट्रॅटेजीला 'CUBE' असं नाव दिलं आहे. CUBE म्हणजे क्षमता (Capacity), वापर (Utilization), बँडविड्थ (Bandwidth) आणि कार्यक्षमता (Efficiency). या योजनेचा मुख्य भाग म्हणजे व्हर्टिकल इंटिग्रेशन, म्हणजेच चिप्सची उभी रचना. यामुळे बोर्डवर अतिरिक्त जागा न वापरता मेमरीची क्षमता वाढवता येईल.
क्षमता आणि बँडविड्थसाठी व्हर्टिकल इंटिग्रेशन
वृत्तानुसार, चोई म्हणाले, "आता आम्हाला प्रिंटेड सर्किट बोर्डच्या जागेची मर्यादा राहणार नाही." ते पुढे म्हणाले, "उभ्या रचनेमुळे, आम्ही बोर्डचा आकार न वाढवता मेमरीची क्षमता वाढवू शकतो."
या 3D रचनेत लॉजिक आणि मेमरीची मांडणी अधिक चांगल्या प्रकारे करण्यावर कंपनीने लक्ष केंद्रित केलं आहे. यामुळे प्रोसेसिंगमधील दिरंगाई कमी होईल आणि चिप्समधील अंतर कमी झाल्यामुळे डेटा ट्रान्सफरचा वेग वाढेल. "3D म्हणजे फक्त एकावर एक थर रचणे नाही, तर प्रत्येक थराचा वापर कसा केला जातो हे महत्त्वाचं आहे," असं चोई यांनी सांगितलं. "चिप्समधील अंतर कमी करून, आम्ही एक व्हर्टिकल हायवे तयार करू शकतो आणि बँडविड्थमध्ये लक्षणीय सुधारणा करू शकतो," असंही ते म्हणाले.
ऊर्जा कार्यक्षमतेवर लक्ष
आर्टिफिशियल इंटेलिजन्स सिस्टीममध्ये विजेचा वापर आणि उष्णता निर्मिती ही एक मोठी समस्या आहे. यावर उपाय शोधणं हेदेखील या योजनेचं एक महत्त्वाचं उद्दिष्ट आहे. चोई म्हणाले, "3D रचनेचं अंतिम ध्येय म्हणजे डेटाचा एक छोटा कण (बिट) इकडून तिकडे नेण्यासाठी लागणारी ऊर्जा कमी करणे."
नेक्स्ट-जनरेशन मेमरी रोडमॅप
या आर्किटेक्चरमुळे कंपनीच्या हाय-बँडविड्थ मेमरी (HBM) विकासाला सध्याच्या पिढीच्या पुढे जाण्यास मदत होईल.
HBM विकास: HBM5 आणि zHBM
सॅमसंगने आपल्या आठव्या पिढीच्या HBM, म्हणजेच HBM5, च्या विकासाचे काम हाती घेतले आहे. HBM4E च्या तुलनेत दुप्पट परफॉर्मन्स, प्रति वॅट 20 टक्के जास्त कामगिरी आणि 20 टक्के कमी थर्मल रेझिस्टन्स (उष्णता रोध) देण्याचं कंपनीचं लक्ष्य आहे. HBM5 सोबतच, कंपनी zHBM वरही काम करत आहे. याचं लक्ष्य HBM4E च्या तुलनेत आठपट जास्त परफॉर्मन्स, प्रति वॅट तिप्पट कामगिरी आणि थर्मल रेझिस्टन्समध्ये 75 ते 90 टक्क्यांपर्यंत घट करणं आहे.
हाय-कॅपॅसिटी स्टोरेज: zNAND-O
वृत्तानुसार, लार्ज लँग्वेज मॉडेल्ससाठी आवश्यक असलेल्या जास्त क्षमतेच्या स्टोरेजसाठी, सॅमसंगने zNAND-O नावाचं एक NAND फ्लॅश सोल्यूशन तयार केलं आहे. या उत्पादनाचं लक्ष्य DRAM च्या तुलनेत 10 पट जास्त बिट डेन्सिटी आणि पारंपरिक NAND च्या तुलनेत सातपट जास्त रीड बँडविड्थ आणि ऊर्जा कार्यक्षमता देण्याचं आहे. 2028 मध्ये ग्राहकांना याचे नमुने (सॅम्पल्स) देण्याची कंपनीची योजना आहे.
बाजारपेठेतील स्थान आणि भविष्यातील योजना
कंपनीने हा रोडमॅप अशा वेळी जाहीर केला आहे, जेव्हा जागतिक सेमीकंडक्टर बाजारपेठेत तिने आपलं आघाडीचं स्थान कायम ठेवलं आहे. मार्केट ट्रॅकर 'काउंटरपॉइंट रिसर्च'च्या हवाल्याने वृत्तात म्हटलं आहे की, दुसऱ्या तिमाहीत DRAM महसुलात सॅमसंगचा वाटा 39 टक्के होता. तर SK hynix चा 26 टक्के आणि Micron Technology चा 25 टक्के वाटा होता.
सॅमसंगने म्हटलं आहे की, कंपनी आपल्या उत्पादन क्षमतेचा आणि तंत्रज्ञानाचा वापर स्टँडर्ड मेमरी श्रेणींसोबतच हाय-व्हॅल्यू आर्टिफिशियल इंटेलिजन्स लाईन्ससाठीही करणार आहे. (ANI)
(या बातमीचे शीर्षक वगळता, मजकुरात आशियानेट न्यूजच्या संपादकीय कर्मचाऱ्यांनी कोणताही बदल केलेला नाही आणि ही बातमी सिंडिकेटेड फीडमधून जशीच्या तशी प्रकाशित करण्यात आली आहे.)